■所属领域：新材料技术

■项目来源：深圳大学

■转让方式：技术转让、技术许可（授权）

■项目简介：本发明涉及一种硒化亚锡纳米片中硒空位缺陷的修复方法，通过对硒化亚锡纳米片中的硒空位缺陷进行修复，有效提高了硒化亚锡纳米片的电导率。